近日，高通公司宣布将与三星电子合作共同开发下一代骁龙835处理器，最大特色是采用三星10纳米制程工艺打造，同时支持Quick Charge 4.0快充技术。高通方面表示，由于采用全新的10纳米制程工艺，骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。
据悉，今年10月份，三星就率先公布了10纳米工艺的量产，与上代14纳米工艺相比，10纳米可以减少30%的芯片尺寸，同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。
借助10纳米工艺制程，高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。此外，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。
目前骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。
高通官方宣称骁龙835采用的是三星半导体最新的10nm制程工艺，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。而根据半导体制程工艺的规律来看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升级，10nm是半导体技术从14/16nm节点向7nm过渡的中间节点，7nm工艺会采用非常先进的EUV极紫外光刻技术，而10nm算是一个不太重要的节点，其实包括台积电的10nm工艺也只面向移动端，所以采用台积电代工工艺的厂商英伟达2017年的GTX系列显卡依然会是16nm工艺。
①更先进的制程
高通官方宣称骁龙835采用的是三星半导体最新的10nm制程工艺，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。而根据半导体制程工艺的规律来看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升级，10nm是半导体技术从14/16nm节点向7nm过渡的中间节点，7nm工艺会采用非常先进的EUV极紫外光刻技术，而10nm算是一个不太重要的节点，其实包括台积电的10nm工艺也只面向移动端，所以采用台积电代工工艺的厂商英伟达明年的GTX系列显卡依然会是16nm工艺。
②更强的CPU
据传言此次骁龙835采用8核心设计，弥补了骁龙820CPU多线程弱的缺点，而如果是八核设计，那骁龙835的单核性能注定不会特别强悍，至少不会超过苹果A10芯片的单核性能，要不然功耗问题难以解决。
③更强的GPU
伴随着VR时代的到来，VR对手机图形处理能力的要求要比以往高得多，骁龙820搭载的Adreno 530GPU即使发布一年了性能依然强悍，在手机端的性能仅次于目前苹果A10的GPU，而骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍，由于苹果A10的GPU相比高通骁龙820/821上的Adreno 530领先幅度并不是太大，所以骁龙835的GPU性能超过苹果A10基本是没有问题的，何况A10还是16nm工艺，但由于iOS与安卓平台的优化不同实际游戏表现就另说了。
④全新的图形API：Vulkan
其实高通骁龙820/821就已经支持Vulkan这一革命性的API，只不过Vulkan的生态还不够完善，所以除了三星曾经在S7 edge上演示过Vulkan游戏其他的笔者就没啥印象了，真正让Vulkan为大众所知的是华为海思麒麟960芯片上的Mali G71GPU支持Vulkan；之所以说Vulkan是革命性的，是因为它对GPU性能的释放起到至关重要的作用，改善CPU对GPU性能的限制，使多核GPU真正发挥出应有的性能。
⑤更快的充电速度
高通同步发布新一代 QC4.0 快速充电技术。相比 QC 3.0 充电速度提升 20%，并支持 Type-C。能够实现“充电 5 分钟，通话五小时”。大约 15 分钟内，可冲入 50% 的电量。另外，QC4.0 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。
⑥深度学习的人工智能
骁龙820内置Zeroth神经处理引擎，能够自动根据用户拍摄的照片进行分类，相信骁龙835会更进一步，带来更加实用的人工智能，毕竟如今包括谷歌在内的企业都在重视人工智能，人工智能在未来会颠覆很多现有的东西。
⑦更强的ISP/DSP
随着双摄手机的普及，预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案，但具体如何实现只有等骁龙835真正发布时才知道了，而新一代的Hexagon DSP预计会带来更好的待机表现。
⑧更快的基带
笔者今年去过几次高通的沙龙会，高通高管透露其下一代基带是下行速率高达1Gbps的X16基带，无疑好马配好鞍，骁龙835会首次采用X16基带。但在这里笔者要泼一下冷水，因为高通的客户并不仅仅是手机厂商，还包括电信运营商，所以1Gbps下载速率的带宽显然不是为主流人群准备的，要想达到这么高的下载速率还需要运营商的支持，至少在中国，明年三大运营商肯定不会商用高达1Gbps下行速率的网络，但不得不说高通的技术实力很强，虽然普通消费者用不到，但能够做出这么牛的基带就是一种能力，是技术实力的展现。
⑨更高的内存带宽
据传言骁龙835会率先支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存，带宽提升明显。
①峰值性能的持续性问题
CPU发热降频一直是老生常谈，目前在CPU领域对发热降频做得最好的是英特尔以及苹果公司，英特尔的酷睿系列芯片以及苹果的A系列芯片的峰值性能持续时间令人印象深刻，而反观高通/海思/联发科的芯片一发热就降频，导致性能下降，这一点在玩游戏时尤为明显。功耗控制表现出色的骁龙820在峰值性能持续性上依然不如苹果A9，所以骁龙835会有何改进值得期待。
②三星电子的产能是否能跟上
去年高通发布骁龙820之后在很长一段时间内的供货一直很紧张，最直接的原因是由于量产初期产能还没跟上，高通把大部分的产能都供给三星S7/S7 edge这两款机器，导致国产厂商拿不到货，而明年初这一问题可能依然会持续，不过到了2018年这一问题有望缓解，有传言高通会在2018年的半导体7nm制程节点回归台积电代工阵营，而同期三星的全网通基带也已成熟，所以高通与三星可能就此分道扬镳，笔者预计三星Galaxy S9会全部采用自家Exynos系列芯片。
③骁龙835是否会像骁龙810出现过热问题
至于骁龙835是否有一定几率出现骁龙810过热问题，笔者认为，10nm相较14/16nm的工艺进步不算是非常大，技术难度相对较小，7nm才是重要的节点，另外再加上高通已经对64位架构芯片驾轻就熟，所以综合评估来看骁龙835不大可能会出现过热问题。
1.具体来说，骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo架构，大核心频率3GHz，小核心频率2.4GHz，GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄、QC4.0以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。
虽然高通表示搭载骁龙835的手机会在明年初上市，但@草包科技的表格显示要到明年二季度才能看到骁龙835手机。接着是骁龙660，同样是八核心设计，不过工艺换成了14nm，架构为A73和A53组合，GPU为Adreno 512，支持2K屏。其余规格还包括双通道LPDDR4x内存、LTE Cat.10基带，QC4.0、以及UFS 2.1等等。此外，搭载骁龙660的手机有望在明年第三季度和我们见面。
2.高通11月25日在深圳举办技术会议，官方明确表示，下一代骁龙800处理器将搭载X16 LTE基带。
其实X16 LTE首次公布在今年2月，它是全球首款移动平台千兆Modem，用以取代骁龙820/821上的X12基带。所谓的下一代骁龙800系列应该至少包括刚刚宣布的骁龙835芯片。X16基带支持Cat.16，下行速率可达1Gbps，也就是千兆，而X12为600Mbps(Cat.12 DL)，150Mbps(Cat.13 UL)。
当然，要达到理论峰值，需要支持4x20MHz CA、256-QAM和4×4MIMO，澳洲电信在9月份联合高通和爱立信实测了979Mbps的下载和129Mbps的上传。
关于骁龙835的其他特性，目前确定的还有三星10nm FinFET制程，性能提升27%等，外界认为这是一款8核Big.Little芯片，大核是Kryo 200，主频逼近3GHz。
以上就是我为您带来的骁龙835处理器亮点特性全面解析的全部内容了。
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